Crescono le probabilità che si possa toccare con mano un iPhone 16 dotato di 1 TB di memoria interna nel 2024. Apple potrebbe cambiare il tipo di memoria flash utilizzata nei suoi modelli di iPhone 16 con capacità maggiore, prendendo in considerazione la NAND cellulare Quad-Level a densità più elevata ma potenzialmente più lenta.
iPhone 16
Cose si potrebbe passare ad un iPhone 16 con 1 TB di memoria interna
Apple e altri produttori di smartphone hanno gradualmente aumentato la quantità di spazio di archiviazione sui loro prodotti, ma così facendo aumenta il costo dell’hardware. Ora, sembra che Apple stia valutando l’utilizzo di un’opzione di memoria più economica.
Secondo fonti industriali di DigiTimes, il cambiamento potrebbe portare Apple a passare dall’uso di flash NAND Triple-Level Cell (TLC) per l’archiviazione a favore di flash NAND Quad-Level Cell (QLC) per i modelli con una capacità di archiviazione di 1 TB o più. .
QLC offre un vantaggio rispetto a TLC in quanto può memorizzare quattro bit di dati per cella di memoria, anziché tre. Ciò consente al flash NAND QLC di archiviare più di TLC quando si utilizzano numeri identici di celle o capacità comparative con un numero inferiore di celle. Questo, in teoria, riduce i costi di produzione.
Il confrontro tra QLC e TLC, comunque, potrebbe non avere alcuna importanza per l’usabilità dell’iPhone. Tuttavia, QLC lo fa con alcuni sacrifici. Il flash NAND QLC è considerato meno affidabile del TLC, con una resistenza ridotta per la scrittura dei dati perché ci sono più scritture per cella poiché ogni cella contiene un bit in più.
Ciò si ottiene utilizzando 16 diversi livelli di carica che può immagazzinare rispetto agli otto utilizzati da TLC. Avendo più livelli di carica e margini ridotti durante la lettura dei dati, ciò introduce la possibilità di maggiori errori di bit dovuti all’aumento del rumore.
Se Apple procedesse con il piano, alla fine significherebbe che gli utenti di iPhone 16 con 1 TB di spazio di archiviazione potrebbero riscontrare velocità di scrittura dei dati più lente rispetto a quelli con capacità inferiore. Ciò, a sua volta, potrebbe ridurre alcuni elementi di prestazione per gli utenti con esigenze di prestazioni elevate.
La differenza di prestazioni potrebbe non essere considerata sufficientemente considerevole da costituire un problema. Ad esempio, un SSD disponibile in commercio potrebbe offrire velocità di scrittura di 550 MB/s con memoria flash TLC quando la cache ad alta velocità è piena, mentre una versione TLC comparabile potrebbe invece raggiungere 450 MB/s o 500 MB/s.
Ciò è più preoccupante per un computer workstation, piuttosto che per un dispositivo mobile. Le scritture flash dei dispositivi mobili tendono ad essere a raffica, piuttosto che prolungate come una workstation.
