Sono già enormi le aspettative nei confronti del Samsung Galaxy S25, soprattutto per coloro che prestano sempre molta attenzione al discorso prestazioni. Qualcomm svelerà lo Snapdragon 8 Gen 4, che potrebbe farsi strada negli smartphone della serie Galaxy S25, allo Snapdragon Summit di ottobre di quest’anno.
Samsung Galaxy S25
Cosa è lecito aspettarsi dal processore del Samsung Galaxy S25 in questo momento
Secondo diversi rapporti, il prossimo SoC offrirà un enorme salto di prestazioni rispetto al suo predecessore, lo Snapdragon 8 Gen 3, che alimenta il Galaxy S24 Ultra. Una fuga precedente aveva affermato che lo Snapdragon 8 Gen 4 avrebbe raggiunto un punteggio single-core di 2.800 punti su Geekbench, un enorme salto rispetto al punteggio di 2.100 punti dello Snapdragon 8 Gen 3. Bene, oggi abbiamo notizie ancora più interessanti sul prossimo SoC.
Ebbene, ad oggi ci sono tutti i presupposti per affermare che il nuovo Snapdragon 8 Gen 4 abbia tutte le carte in regola per superare Apple A18. Secondo una nuova fuga di notizie dalla Cina, lo Snapdragon 8 Gen 4 sarà in grado di raggiungere un punteggio single-core di 3.500 punti. Se ciò risultasse vero, sarebbe strabiliante. D’altra parte, il chipset Apple A18, che dovrebbe essere utilizzato sui modelli iPhone 16 Pro, dovrebbe raggiungere 3.300 punti nel test. La fuga di notizie dice anche che anche le prestazioni multi-core e GPU dello Snapdragon 8 Gen 4 saranno più veloci di quelle dell’Apple A18.
Ciò significa che Snapdragon 8 Gen 4 dominerà completamente l’Apple A18, consentendo alla serie Galaxy S25 di superare la gamma iPhone 16 Pro. Se la fuga di notizie si rivelasse vera, uno smartphone Samsung sarebbe in grado di battere per la prima volta un iPhone in termini di prestazioni single-core. La frequenza di clock della CPU più alta del settore, a testimonianza del fatto che i Samsung Galaxy S25 potrebbero davvero fare la differenza in questo contesto.
Lo Snapdragon 8 Gen 4 avrà i core Oryon come core principali e i core Pheonix come core ad alte prestazioni. Secondo un’altra fuga di notizie, Qualcomm clockerà i core Oryon a 4,3 GHz, una cifra inaudita nel settore della telefonia mobile e molto più avanti della concorrenza, e i core Pheonix a 3,8 GHz.
L’informatore che ha rivelato queste informazioni afferma inoltre che il chipset potrebbe assorbire 1,3 V di potenza per raggiungere quelle frequenze, il che potrebbe causare diversi problemi, tra cui surriscaldamento e limitazione termica, e che lo Snapdragon 8 Gen 4 sarà il primo chipset di Qualcomm a utilizzare N3E (3nm) processo di fabbricazione. Vedremo se il Samsung Galaxy S25 raggiungerà effettivamente queste vette in futuro.
